זה מכבר היה ידוע ששדות מגנטיים יחסית חלשים (פחות מ-0.1 טסלה) גורמים לשינויים של עשרות אחוזים במוליכות או באלקטרו-לומינסצנציה (פליטת אור בנוכחות שדה חשמלי חלש) של התקנים העשויים ממוליכים-למחצה אורגניים (כלומר המבוססים על פחמן ולא על סיליקון). בקהילה המדעית נשקלת ברצינות האפשרות שניתן לנצל תופעות טכנולוגיות מסוג זה לשימוש מעשי. למחקר הנוכחי היו שתי מטרות עיקריות: 1. לבצע מדידות של השפעת שדות מגנטיים חלשים מאוד (פחות מ-0.001 טסלה) וחזקים מאוד (עד עוצמה של 8 טסלה) בהתקנים אלקטרוניים ואלקטרו-אופטיים העשויים ממוליכים-למחצה אורגניים. 2. קביעת המכניזמים הגורמים למגנטו-תופעות הן בשדות חלשים והן בשדות חזקים. במחקר שלנו אוששנו את המכניזמים העיקריים הגורמים לתופעות מגנטיות בשדות חלשים, דהיינו האינטראקציה ה”על דקה” (האינטראקציה בין ספין האלקטרון וגרעיני אטומי המימן בחומר) ועירורים טריפלטיים ("טריפלט" הוא מצב מעורר מסוים של אטום או מולקולה). ביצענו מדידות חדשניות, שלא בוצעו בעבר, בשדות גבוהים ומצאנו את המכניזמים העיקריים האחראים לתופעות המגנטיות בשדות אלו. מבין המכניזמים נציין את האנאיזוטרופיה ב-g פקטור, שהיא הגורם העיקרי למגנטו-מוליכות ומגנטו-אלקטרו-לומינסצנציה בטמפרטורת החדר, המתאימה לשימוש טכנולוגי. בטמפרטורות נמוכות, הקיטוב הספיני המגנטי הנגרם בשדות גבוהים עקב הנטייה הטבעית של המערכת להגיע יחסית מהר לשיווי משקל תרמי נעשה חשוב יותר ויותר ומאפיל על המכניזם הקודם.